Моя заявка (0)

SPD07N60C3BTMA1, SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com

SPD07N60C3BTMA1, SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293699
Артикул
SPD07N60C3BTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 475 ₽)
Минимальный заказ: 172 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies AG Транзисторы MOSFETs N-CH 600 В 7,3 А 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.22(Max)
Package Length6.73(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Process TechnologyCoolMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)7
Typical Rise Time (ns)3.5
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)83000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)21
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)21@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)60
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)7.3
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)790@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)600@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация