Моя заявка (0)

SPD07N60C3ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

SPD07N60C3ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8407852862
Артикул
SPD07N60C3ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.4
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Power Dissipation
83Вт
Цена по запросу
(от 357 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.4
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation83Вт
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)83W
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)27nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)790pF@25V
Continuous Drain Current (Id)7.3A
Drain Source On State Resistance0.54Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока7.3А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе3.9V@350uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)600mΩ@4.6A, 10V

Техническая документация