SPD06N60C3ATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002182217
- Артикул
- SPD06N60C3ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.33
- Серия:
- CoolMOS C3
- Структура
- N-Channel
- Технология:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Производитель: Infineon Категория продукта: МОП-транзистор Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TO-252-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V Id - непрерывный ток утечки: 6.2 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 680 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2.1 V Qg - заряд затвора: 31 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: 74 W Канальный режим: Enhancement Упаковка: Reel Упаковка: Cut Tape Упаковка: MouseReel Торговая марка: Infineon Technologies Конфигурация: Single Время спада: 10 ns Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5.6 S Высота: 2.3 mm Длина: 6.5 mm Тип продукта: MOSFET Время нарастания: 12 ns Размер фабричной упаковки: 2500 Подкатегория: MOSFETs Тип транзистора: 1 N-Channel Типичное время задержки выключения: 52 ns Типичное время задержки при включении: 7 ns Ширина: 6.22 mm Другие названия товара №: SPD06N60C3 SP001117770 Вес изделия: 330 mg
Технические параметры
| Вес, г | 0.33 |
| Серия: | CoolMOS C3 |
| Структура | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Время спада: | 10 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Qg - заряд затвора: | 31 nC |
| Время нарастания: | 12 ns |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки: | 6.2 A |
| Крутизна характеристики, S | 5.6 S |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток:: | 600 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C+150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 680 mOhms |