SPD04P10PLGBTMA1, Trans MOSFET P-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293047
- Артикул
- SPD04P10PLGBTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- SPD04P10
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 136 ₽)
Минимальный заказ: 128 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 4,2 А 850 Мом при 10 В, 3 А 38 Вт 2 В при 380uA P-канальные МОП-транзисторы TO-252-2 (DPAK)
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | SPD04P10 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5.7 ns |
| Tradename: | SIPMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | SP000212231 SPD4P1PLGXT SPD04P10PLGBTMA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |