P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V PG-TO252-3 SPD04P10PGBTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973871
- Артикул
- SPD04P10PGBTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
- Automotive
- Yes
Цена по запросу
(от 213,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор Infineon power MOSFET - это высоко инновационный МОП-транзистор семейства OptiMOS, включающий в себя p-канальные МОП-транзисторы.
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Корпус | to252 |
| Mounting Type | SMD |
| Supplier Package | DPAK |
| Process Technology | SIPMOS |
| Структура | P-Channel |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 38000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 9@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 62 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 240@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1000@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |