Моя заявка (0)

SPD04P10PGBTMA1, Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

SPD04P10PGBTMA1, Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292724
Артикул
SPD04P10PGBTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Automotive
Yes
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 100V 4A автомобильный AEC-Q101 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePG-TO252-3
Mounting TypeSMD
Supplier PackageDPAK
Process TechnologySIPMOS
СтруктураMOSFET
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameTO-252
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Continuous Drain Current4 A
Maximum Power Dissipation - (mW)38000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)9
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)9@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Typical Output Capacitance - (pF)62
Maximum Drain Source Voltage - (V)100
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)4
Maximum Continuous Drain Current - (A)4
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)240@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)1000@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация