SIPMOS® P-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SPB80P06PGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8369169936
- Артикул
- SPB80P06PGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.45mm
- Series
- SIPMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SPB80P06PGATMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. Оснащенный корпусом PG-TO263-3 для SMD-монтажа, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать ток стока до 80 А и напряжение сток-исток до 60 В. С мощностью в 340 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,023 Ом, он обеспечивает эффективную работу и надежность в различных электронных схемах. Используйте SPB80P06PGATMA1 для улучшения производительности ваших устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 340 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.023 Корпус PG-TO263-3
Технические параметры
| Width | 9.45mm |
| Series | SIPMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 340 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 340 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |