Транзистор полевой SPB20N60S5 MOSFET N-Ch 600V 13A 208W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070018130
- Артикул
- SPB20N60S5
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS S5
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 810 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор SPB20N60S5 — изделие серии SPB20. Характеристики Обозначение: SPB20N60S5 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-Ch 600V 13A 208W Масса: 2 г Производитель: Infineon Единица измерения: шт
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS S5 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | SP000012112 SPB2N6S5XT SPB20N60S5ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 79 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 208 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 120 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |