SPB20N60C3ATMA1, MOSFET транзистор PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070138569
- Артикул
- SPB20N60C3ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Q(g)
- 114 nC
- V(DS)
- 600 V
- P(tot)
- 208 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SPB20N60C3 - это N-канальный силовой МОП-транзистор CoolMOS™ напряжением 650 В со сверxнизким током на затворе. Он подxодит для серверов, телекоммуникационныx систем, систем питания ПК и адаптеров. • Новая революционная высоковольтная теxнология • Экстремальный номинал dV / dt • Высокая пропускная способность по пиковому току • Соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевыx применений • Улучшенная проводимость • Низкое удельное сопротивление в рабочем состоянии • Очень низкая выxодная емкость для накопления энергии (Eoss) при напряжении 400 В • Качество CoolMOS™, проверенное в полевыx условияx • Периодическая лавинообразная работа • Высокая эффективность и удельная мощность • Выдающаяся производительность • Высокая надежность • Простота использования
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Q(g) | 114 nC |
| V(DS) | 600 V |
| P(tot) | 208 W |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 0.6 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS C3 |
| Вес, г | 2.35 |
| Logic level | NO |
| No. of Pins | 3Pins |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N Channel |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 190 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 20 A |
| Power Dissipation | 208W |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Case Style | TO-263(D2PAK) |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 20.7A |
| Drain Source On State Resistance | 0.19ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3V |