Моя заявка (0)

SPB17N80C3ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

SPB17N80C3ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8979377798
Артикул
SPB17N80C3ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
12 ns
Rise Time:
15 ns
Вес, г
1.43
Цена по запросу
(от 769 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:12 ns
Rise Time:15 ns
Вес, г1.43
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SPB17N80C3 SP000013370
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:117 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:227 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:17 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.25 Ом

Техническая документация