SPA20N60C3XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8896284862
- Артикул
- SPA20N60C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 114 nC
- V(DS)
- 600 V
- Width
- 4.85mm
- P(tot)
- 34.5 W
Цена по запросу
(от 615 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon со сквозным креплением - это продукт нового поколения с сопротивлением сток-исток 190 Мом при напряжении затвор-исток 10 В.
Технические параметры
| Q(g) | 114 nC |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 4.85mm |
| P(tot) | 34.5 W |
| Series | SPA20N60C3 |
| Package | TO-220FP |
| R(thJC) | 0.6 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS C3 |
| Вес, г | 4.763 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 190 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 20.7 A |
| Typical Power Gain | 0 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Forward Diode Voltage | 0 |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 34.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20.7 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом |