Моя заявка (0)

SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13,1А, 34,5Вт, PG-TO220-3-FP

SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13,1А, 34,5Вт, PG-TO220-3-FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017534069
Артикул
SPA20N60C3
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4.5 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 213,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SPA20N60 - CoolMOS, 20,7А, 600 В, 0,19 Ом, N-канальный, силовой МОП-транзистор

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4.5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:5 ns
Вес, г2.17
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусto220
МонтажTHT
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-220FP-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:SP000216354 SPA2N6C3XK SPA20N60C3XKSA1
Transistor Type:1 N-Channel
Мощность34.5Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:87 nC
Ток стока13.1А
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Полярностьполевой
ТехнологияCoolMOS™
Factory Pack Quantity:500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:34.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:67 ns
Тип транзистораN-MOSFET
Id - Continuous Drain Current:20.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Напряжение сток-исток600В
Напряжение затвор-исток±20В
Пороговое напряжение на затворе3.9V@500uA
Сопротивление в открытом состоянии190мОм
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт34.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)380mΩ@10V, 7A

Техническая документация