SPA11N80C3XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8948157687
- Артикул
- SPA11N80C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.85mm
- Series
- CoolMOS C3
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 419 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 4.85mm |
| Series | CoolMOS C3 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.759 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Not For New Designs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 34W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 41 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A(Tc) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.39 Ом |