SPA11N60C3XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8900478226
- Артикул
- SPA11N60C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 60 nC
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- V(DS)
- 600 V
Цена по запросу
(от 436 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Q(g) | 60 nC |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 4.85 mm |
| Height | 16.15 mm |
| Length | 10.65 mm |
| P(tot) | 33 W |
| Series | CoolMOS C3 |
| Package | TO-220FP |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 5 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Automotive | NO |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.8 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 380 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Part # Aliases | SP000216312 SPA11N60C3XK SPA11N60C3XKSA1 |
| I(D)at Tc=25°C | 5.5 A |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Pd - Power Dissipation | 33 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 33 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.34 Ом |