SPA08N80C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 8А, 40Вт, PG-TO220-3-FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024497559
- Артикул
- SPA08N80C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 4.85mm
- Series
- CoolMOSв„ў ->
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SPA08N80C3XKSA1 от производителя INFINEON представляет собой надежный компонент для использования в электронных схемах. Монтаж данного транзистора осуществляется через отверстия (THT), что обеспечивает простоту установки в печатные платы. С током стока 8 А и напряжением сток-исток в 800 В, этот N-MOSFET идеально подходит для управления силовыми нагрузками. Мощность устройства составляет 40 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии в 0,65 Ом минимизирует потери и улучшает эффективность. Корпус PG-TO220-3-FP гарантирует надежную работу и долговечность. Используйте SPA08N80C3XKSA1 для создания эффективных и мощных электронных решений. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 8 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 40 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.65 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 4.85mm |
| Series | CoolMOSв„ў -> |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 3.74 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS C3 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 16.15 mm |
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
| Монтаж | THT |
| Ширина | 4.85 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | SPA08N80 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Ток стока, А | 8 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Мощность, Вт | 40 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Время нарастания | 15 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Напряжение сток-исток, В | 800 |
| Другие названия товара № | SPA08N80C3 SP000216310 |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@500uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 72 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.65 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 380mΩ@10V, 7A |