Моя заявка (0)

SPA07N60C3XKSA1, CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET, 7.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

SPA07N60C3XKSA1, CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET, 7.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014478358
Артикул
SPA07N60C3XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.85mm
Series
CoolMOS C3
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.

Технические параметры

Width4.85mm
SeriesCoolMOS C3
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220FP
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation32 W
Typical Gate Charge @ Vgs21 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
Maximum Drain Source Resistance600 mΩ
Maximum Continuous Drain Current7.3 A
Крутизна характеристики, S6
Пороговое напряжение на затворе5.5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт32
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.6 Ом/4.6А, 10В

Техническая документация