Моя заявка (0)

SPA06N80C3XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220F, Through Hole

SPA06N80C3XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220F, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074107111
Артикул
SPA06N80C3XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS C3
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 304 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS C3
Fall Time:8 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г1.8
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Part # Aliases:SPA06N80C3 SP000216302
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:41 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:39 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:780 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:500
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.78 Ом

Техническая документация