Моя заявка (0)

SP8M51HZGTB, Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm

SP8M51HZGTB, Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007121008
Артикул
SP8M51HZGTB
Бренд
Rohm
Вес, г
0.05
Channel Type
N and P Channel
Структура
P-Channel
Особенности
полевая сборка
Цена по запросу
(от 296 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
Channel TypeN and P Channel
СтруктураP-Channel
Особенностиполевая сборка
КвалификацияAEC-Q101
Power Dissipation N Channel2Вт
Power Dissipation P Channel2Вт
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3А
Рассеиваемая Мощность2Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.12Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.12Ом
Полярность ТранзистораN and P Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораSOP
Непрерывный Ток Стока, N Канал3А
Непрерывный Ток Стока, P Канал3А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал100В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал100В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.12Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.12 Ом

Техническая документация