SP8M4HZGTB, Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007121007
- Артикул
- SP8M4HZGTB
- Бренд
- Rohm
- Series
- SP8M4
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 397 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный МОП-транзистор ROHM SP8M4HZG n, соответствующий требованиям стандарта EC-Q101. МОП-транзисторы Nch+Pch напряжением 30 В с диодом защиты от электростатического разряда вxодят в комплект поставки SOP8.
Технические параметры
| Series | SP8M4 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N and P Channel |
| Package Type | SOP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 2Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.018 Omh, 0.028 Omh |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A, 9 A |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.012Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.012Ом |
| Полярность Транзистора | N and P Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 9А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 9А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.012Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом |