SP8M41HZGTB, MOSFETs AECQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018669504
- Артикул
- SP8M41HZGTB
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 12 ns, 20 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12 ns, 15 ns
Цена по запросу
(от 193,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SP8M ROHM Semiconductor SP8M представляют собой устройства с низким сопротивлением, размещенные в небольшом корпусе для поверxностного монтажа (SOP8). Корпус SP8M не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS. МОП-транзисторы также не содержат галогенов, имеют покрытие Sn100% и соответствуют стандарту AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 12 ns, 20 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns, 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | SP8M41HZG |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns, 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns, 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.4 A, 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2 S, 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 130 mOhms, 240 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -2.5 V, 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |