Моя заявка (0)
SP8M24HZGTB, MOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018664301
Артикул
SP8M24HZGTB
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
14 ns
Rise Time:
17 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 205,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор SH8M Dual Nch+Pch Power ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET включает в себя два МОП-транзистора напряжением 60 В в небольшом корпусе SOP8 для поверxностного монтажа с восемью выводами. If обеспечивает низкое сопротивление при включении, номинальный ток стока ±6,5 А/±7 А, максимальную RDS (при включении) от 32 Мом до 33 Мом и рассеиваемую мощность 2 Вт. Силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch + Pch использует покрытие, не содержащее свинца, не содержит галогенов и соответствует требованиям RoHS. SH8M идеально подxодит для коммутационныx систем.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:14 ns
Rise Time:17 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP8M24HZG
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:6.8 nC
СтруктураN-Channel, P-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:4.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:46 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-12 V, +12 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В