SN7002W H6327, 60V 230mA 2.3Ohm@10V,230mA 500mW N Channel SOT-323-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026392918
- Артикул
- SN7002W H6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- XN7002
- Fall Time:
- 8.5 ns
- Rise Time:
- 2.8 ns
Цена по запросу
(от 6,30 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | XN7002 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Rise Time: | 2.8 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SN72WH6327XT SP000917572 SN7002WH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1nC@0~10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 34pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 230mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4V@26uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 7002 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3Ω@10V, 230mA |