Моя заявка (0)
SN7002W H6327, MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-323-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505391
Артикул
SN7002W H6327
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
XN7002
Fall Time:
8.5 ns
Rise Time:
2.8 ns
Цена по запросу
(от 27,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:XN7002
Fall Time:8.5 ns
Rise Time:2.8 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-323
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Part # Aliases:SN72WH6327XT SP000917572 SN7002WH6327XTSA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)500mW
Особенности-
Pd - Power Dissipation:500 mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1nC@0~10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.4 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)34pF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:6 ns
Continuous Drain Current (Id)230mA
Id - Continuous Drain Current:230 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:100 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:2.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)3pF@25V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт7002
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация