SN7002NH6327XTSA2, MOSFETs N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006243318
- Артикул
- SN7002NH6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- SIPMOS®
- Тип
- SIPMOS Small Signal Transistor
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SN7002NH6327XTSA2 производства INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD) с корпусом SOT23. Этот транзистор способен коммутировать ток до 0,2 А и выдерживать напряжение сток-исток до 60 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. Мощность устройства составляет 0,36 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 5 Ом, обеспечивая эффективную работу в различных схемах. Используйте SN7002NH6327XTSA2 для надежной и долговременной работы ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.2 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 5 Корпус SOT23
Технические параметры
| Series | SIPMOS® |
| Тип | SIPMOS Small Signal Transistor |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SN7002 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Продукт | SIPMOS Small Signal |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Время нарастания | 3.2 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Другие названия товара № | SN7002N H6327 SP000929188 |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.17 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |