Моя заявка (0)

SMUN5314DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT,дополнительная пара; 50В

SMUN5314DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT,дополнительная пара; 50В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066258402
Артикул
SMUN5314DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SC70-6, SC88, SOT363
Brand
ON Semiconductor
Series
MUN5314DW1
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 16,52 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

80 при 5 мА, 10 В, 1 NPN, 1 PNP - Предварительно настроенные цифровые транзисторы SOT-363 мощностью 187 МВт, 100 мА, 50 В, 500нА, ROHS

Технические параметры

CaseSC70-6, SC88, SOT363
BrandON Semiconductor
SeriesMUN5314DW1
MountingSMD
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.02
Applicationautomotive industry
SubcategoryDiodes и Rectifiers
Current gain80…140
ManufacturerON Semiconductor
Polarisationbipolar
Product TypeDiodes-General Purpose, Power, Switching
Base resistor10kΩ
QualificationAEC-Q101
Kind of packagereel, tape
Transistor Type1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased
Product CategoryDiodes-General Purpose, Power, Switching
Collector current0.1A
Power dissipation0.25W
Kind of transistorBRT, complementary pair
Type of transistorNPN/PNP
Структураnpn
Base-emitter resistor47kΩ
Factory Pack Quantity3000
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)187mW
Collector-emitter voltage50V
Transition Frequency (fT)-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@5mA, 10V
Collector Cut-Off Current (Icbo)500nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@10mA, 300uA

Техническая документация