Моя заявка (0)
SMUN5312DW1T1G, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070677284
Артикул
SMUN5312DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SC70-6, SC88, SOT363
Mounting
SMD
Вес, г
0.02
Серия
MUN5312DW1
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR DUAL 50V

Технические параметры

CaseSC70-6, SC88, SOT363
MountingSMD
Вес, г0.02
СерияMUN5312DW1
Applicationautomotive industry
ManufacturerONSEMI
Polarisationbipolar
Base resistor22kΩ
Input Resistor22kΩ
Resistor Ratio1
Kind of packagereel, tape
УпаковкаReel, Cut Tape
Collector current0.1A
Power dissipation0.25W
Kind of transistorBRT, complementary pair
Type of transistorNPN/PNP
Структураnpn
Base-emitter resistor22kΩ
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)187mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage50V
Торговая маркаON Semiconductor
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)60@5.0mA, 10V
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)1.9V@5.0mA, 0.2V
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii)200mV
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce)1.2V@100uA, 5.0V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов6 Выводов
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Резистор База-эмиттер R222кОм
Резистор На входе Базы R122кОм
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Полярность Цифрового ТранзистораNPN и PNP
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация