SMUN5233DW1T1G, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067175271
- Артикул
- SMUN5233DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MUN5233DW1
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MUN5233DW1 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | MUN5233DW1 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Configuration | Dual |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Typical Input Resistor | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |