SMUN5114T1G, Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005547426
- Артикул
- SMUN5114T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Brand:
- onsemi
- Series
- MUN5114
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR SPCL TR
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Brand: | onsemi |
| Series | MUN5114 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.1 mm |
| Серия | MUN5114 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 0.85 mm |
| Ширина | 1.24 mm |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70 |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 202mW |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.21 |
| DC Current Gain HFE Max | 80 |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.21 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70 |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 10V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.21 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |