SMMUN2111LT1G, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646235
- Артикул
- SMMUN2111LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Case
- SOT23
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 12,87 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS BR XSTR SPCL TR
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Case | SOT23 |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | MMUN2111L |
| Application | automotive industry |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | bipolar |
| Base resistor | 10kΩ |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.3 |
| Input Resistor | 10kΩ |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Resistor Ratio | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.246W |
| Kind of transistor | BRT |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Base-emitter resistor | 10kΩ |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 246mW |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 35@5mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 50V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 35@10mA, 10V |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 2.5V@10mA, 0.3V |
| Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) | 200mV |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) | 1.2V@100uA, 5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 246 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |