SMMBTA56LT1G,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8497425127
- Артикул
- SMMBTA56LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 0,5А, 225мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.04 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@10mA@100mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |