Моя заявка (0)
SMMBTA42LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006219123
Артикул
SMMBTA42LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
0.03
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 26,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

300 В 225 МВт при 40@ 30 мА, 10 В 500 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)500mA
Factory Pack Quantity:10000
Power Dissipation (Pd)225mW
Pd - Power Dissipation:300 mW
Transition Frequency (fT)50MHz
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)40@30mA, 10V
Collector- Base Voltage VCBO:300 V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:100
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:250 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)300V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@20mA, 2mA

Техническая документация