SMMBTA06WT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066041080
- Артикул
- SMMBTA06WT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.03
- Серия
- MMBTA06WT1
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 45,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | MMBTA06WT1 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |