SMMBT5551LT3G, 160V 80@10mA,5V 225mW 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048309435
- Артикул
- SMMBT5551LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 77,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Continuous Collector Current: | 600 V |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 20 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |