Моя заявка (0)

SMMBT5551LT1G, 50nA 160V 225mW 80@10mA,5V 600mA 200mV@50mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT

SMMBT5551LT1G, 50nA 160V 225mW 80@10mA,5V 600mA 200mV@50mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017602191
Артикул
SMMBT5551LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Power - Max
225 mW
Корпус
SOT-23(TO-236)
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 4,51 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 160 В 600 мА 225 МВт для поверxностного монтажа SOT-23-3 (TO-236)

Технические параметры

Вес, г0.01
Power - Max225 mW
КорпусSOT-23(TO-236)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Supplier Device PackageSOT-23-3(TO-236)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)160 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600

Техническая документация