Моя заявка (0)

SMMBT3906LT3G, 40V 225mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz PNP 400mV@50mA,5mA -65°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

SMMBT3906LT3G, 40V 225mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz PNP 400mV@50mA,5mA -65°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646449
Артикул
SMMBT3906LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 5,27 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы PNP SOT-23 на 40 В 300 МВт при 10 мА, 1 В 200 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)200mA
Factory Pack Quantity:10000
Power Dissipation (Pd)300mW
Pd - Power Dissipation:300 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Transition Frequency (fT)250MHz
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 1V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Continuous Collector Current:-200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:30
Collector Cut-Off Current (Icbo)-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA, 5mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250

Техническая документация