Моя заявка (0)

SMMBT3906LT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

SMMBT3906LT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025733552
Артикул
SMMBT3906LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300 МВт Автомобильный 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPYes
TypePNP
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.01
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23-3(TO-236)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Supplier Temperature GradeAutomotive
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-200 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-40 V dc
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum DC Collector Current (A)0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage-40 V
Maximum Collector Base Voltage (V)40
Maximum Transition Frequency (MHz)250(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.95 5mA 50mA|0.85 1mA 10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25 1mA 10mA|0.4 5mA 50mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)200 mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40

Техническая документация