Моя заявка (0)

SMMBT3904TT1G, Bipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 60V

SMMBT3904TT1G, Bipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060430554
Артикул
SMMBT3904TT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
Brand:
onsemi
Вес, г
0.01
Power - Max
300 mW
Цена по запросу
(от 37,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 40 В 200 мА 300 МГц 300 МВт для поверxностного монтажа SC-75, SOT-416

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:onsemi
Вес, г0.01
Power - Max300 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-416-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseSC-75, SOT-416
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Frequency - Transition300MHz
Pd - Power Dissipation:300 mW
Supplier Device PackageSC-75, SOT-416
DC Current Gain hFE Max:300
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V

Техническая документация