Моя заявка (0)

SMMBT3904LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR

SMMBT3904LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005376243
Артикул
SMMBT3904LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
Brand:
onsemi
Вес, г
0.05
Power - Max
300 mW
Цена по запросу
(от 9,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 40 В 200 мА 300 МГц 300 МВт для поверxностного монтажа SOT-23-3 (TO-236)

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:onsemi
Вес, г0.05
Power - Max300 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:10000
Frequency - Transition300MHz
Pd - Power Dissipation:300 mW
Supplier Device PackageSOT-23-3(TO-236)
DC Current Gain hFE Max:300
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V

Техническая документация