SMBT3946DW1T1G, Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8575687563
- Артикул
- SMBT3946DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- MBT3946DW1T1
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | MBT3946DW1T1 |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz, 250 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V, 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V, 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV, 250 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |