SMBT3906E6327, Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,2А, 0,33Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380078
- Артикул
- SMBT3906E6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- SMBT3906
- Высота
- 1 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный SMBT3906E6327 производства компании INFINEON представляет собой надежный электронный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Этот PNP транзистор способен работать с током коллектора до 0,2 А и напряжением коллектор-эмиттер до 40 В, обеспечивая при этом мощность до 0,33 Вт. Идеально подходит для использования в различных электронных схемах, где требуется эффективный и надежный компонент для управления током. Транзистор SMBT3906E6327 отличается стабильностью работы и долговечностью, что делает его предпочтительным выбором для разработчиков и инженеров. Качество от INFINEON гарантирует высокий уровень производительности вашей электроники. Обратите внимание на уникальный код товара SMBT3906E6327 для уточнения характеристик или при заказе. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 40 Мощность, Вт 0.33 Корпус SOT23
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SMBT3906 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Другие названия товара № | SMBT3906E6327HTSA1 SMBT396E6327XT SP000011680 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |