Моя заявка (0)

SMBT2222AE6327HTSA1, null 330mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

SMBT2222AE6327HTSA1, null 330mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070098717
Артикул
SMBT2222AE6327HTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Серия
SMBT2222
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 18,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.02
СерияSMBT2222
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23(TO-236)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain100
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation330 mW
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current600 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage75 V
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности330 mW
Другие названия товара №SMBT 2222A E6327 SP000011176
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток600 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)75 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация