Моя заявка (0)
SIZF928DT-T1-GE3, MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 33A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024361337
Артикул
SIZF928DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 231,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двойной N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 30 В. 100% Rg и UIS протестированы

Технические параметры

SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAIR 6x5F
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Квалификация-
Number of Elements per Chip2
Power Dissipation N Channel74Вт
Power Dissipation P Channel74Вт
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance0.00245 Ω
Maximum Continuous Drain Current258 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока248А
Рассеиваемая Мощность74Вт
Drain Source On State Resistance N Channel530мкОм
Drain Source On State Resistance P Channel530мкОм
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAIR
Непрерывный Ток Стока, N Канал248А
Непрерывный Ток Стока, P Канал248А
Пороговое напряжение на затворе2.1V@1mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал30В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)530мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25mΩ@10A, 10V

Техническая документация