TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016445775
- Артикул
- SiZF928DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 497,98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 30 В. 100% Rg и UIS протестированы
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAIR 6x5F |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Квалификация | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 74Вт |
| Power Dissipation P Channel | 74Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00245 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 258 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 248А |
| Рассеиваемая Мощность | 74Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 530мкОм |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 530мкОм |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 248А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 248А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 530мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 258 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00053 Ом |