Моя заявка (0)
SIZF918DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062585218
Артикул
SIZF918DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
10 ns, 10 ns
Rise Time:
45 ns, 55 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxмоп-транзисторы PowerPAIR® Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs объединяют оптимизированные комбинации МОП-транзисторов в одном компактном корпусе. Двуxмоп-транзисторы Vishay PowerPAIR в одной комплектации занимают меньше места и обеспечивают повышенную производительность по сравнению с отдельными модулями. Благодаря тому, что два МОП-транзистора уже подключены внутри корпуса PowerPAIR, компоновка упрощается, а паразитная индуктивность на печатной плате снижается, что повышает эффективность.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:10 ns, 10 ns
Rise Time:45 ns, 55 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAIR-6x5-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:14.6 nC, 37 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:26.6 W, 50 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns, 22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns, 30 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A, 60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-50 C
Forward Transconductance - Min:53 S, 87 S
Rds On - Drain-Source Resistance:6.8 mOhms, 2.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V, 1 V

Техническая документация