Моя заявка (0)
SIZF916DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062585216
Артикул
SIZF916DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
10 ns, 20 ns
Rise Time:
45 ns, 60 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 197,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxмоп-транзисторы PowerPAIR® Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs объединяют оптимизированные комбинации МОП-транзисторов в одном компактном корпусе. Двуxмоп-транзисторы Vishay PowerPAIR в одной комплектации занимают меньше места и обеспечивают повышенную производительность по сравнению с отдельными модулями. Благодаря тому, что два МОП-транзистора уже подключены внутри корпуса PowerPAIR, компоновка упрощается, а паразитная индуктивность на печатной плате снижается, что повышает эффективность.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:10 ns, 20 ns
Rise Time:45 ns, 60 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAIR-6x5-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:14.6 nC, 62 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:26.6 W, 60 W
Typical Turn-On Delay Time:17 ns, 30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns, 45 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A, 60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:53 S, 91 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V

Техническая документация