SIZF660LDT-T1-GE3,Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 110 A, 0.0026 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050449224
- Артикул
- SIZF660LDT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- Dual N Channel
- Product Range
- TrenchFET Gen IV Series
Цена по запросу
(от 478 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Product Range | TrenchFET Gen IV Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Case Style | PowerPAIR 6x5FS |
| Особенности | полевая сборка |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 62.5W |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 60V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 110A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 2600µohm |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0026 Ом |