Моя заявка (0)

SIZF4412DT-T1-GE3,Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 77.1 A, 0.0053 ohm

SIZF4412DT-T1-GE3,Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 77.1 A, 0.0053 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046493452
Артикул
SIZF4412DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
No. of Pins
12Pins
Channel Type
Dual N Channel
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Цена по запросу
(от 288 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins12Pins
Channel TypeDual N Channel
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
СтруктураN-Channel
Transistor Case StylePowerPAIR 3x3FS
Особенностиполевая сборка
Operating Temperature Max150°C
Power Dissipation N Channel56.8W
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel77.1A
Drain Source On State Resistance N Channel5300µohm
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А77.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0053 Ом

Техническая документация