Моя заявка (0)

SIZ988DT-T1-GE3, 30V 60A 0.0041Ohm@10V,60A 4.8W 2.2V@250uA 2 N-Channel PowerPAIR-8(6x5) MOSFETs ROHS

SIZ988DT-T1-GE3, 30V 60A 0.0041Ohm@10V,60A 4.8W 2.2V@250uA 2 N-Channel PowerPAIR-8(6x5) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044551081
Артикул
SIZ988DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
7 ns, 10 ns
Rise Time:
10 ns, 15 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 237 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay Integrated MOSFET Solutions объединяют компоненты в единый монолитный чип для повышения удельной мощности и эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на изготовление спецификации. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:7 ns, 10 ns
Rise Time:10 ns, 15 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAIR-6x5-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:21.5 nC, 51 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:20.2 W, 40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns, 20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns, 25 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A, 60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:54 S, 52 S
Rds On - Drain-Source Resistance:5.7 mOhms, 2.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V, 1.1 V

Техническая документация