SIZ980DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017668384
- Артикул
- SIZ980DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 6 mm
- Серия
- SIZ
- Высота
- 0.75 mm
Цена по запросу
(от 230,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | SIZ |
| Высота | 0.75 mm |
| Корпус | PowerPAKВR ChipFet Dual |
| Ширина | 5 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns, 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 18 nC, 77 nC |
| Время нарастания | 65 ns, 75 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W, 66 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A, 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms, 1.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns, 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns, 35 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V, 1.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S, 155 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0011 Ом |