SIZ980BDT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017669909
- Артикул
- SIZ980BDT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 168,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxмоп-транзисторы PowerPAIR® Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs объединяют оптимизированные комбинации МОП-транзисторов в одном компактном корпусе. Двуxмоп-транзисторы Vishay PowerPAIR в одной комплектации занимают меньше места и обеспечивают повышенную производительность по сравнению с отдельными модулями. Благодаря тому, что два МОП-транзистора уже подключены внутри корпуса PowerPAIR, компоновка упрощается, а паразитная индуктивность на печатной плате снижается, что повышает эффективность.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAIR-6x5-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC, 79 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W, 66 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 54.8 A, 197 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.39 mOhms, 1.06 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V, 1.1 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 817 мкОм |